坩埚下降法生长CaF2单晶的研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (6): 1328-1331.

坩埚下降法生长CaF2单晶的研究

段安锋;范翊;罗劲松;关树海;沈永宏;刘景和

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130031;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130031;长春理工大学,长春130022

出版日期:2006-12-15 发布日期:2021-01-20

Study on the Growth of CaF2 Single Crystals by Bridgeman Method

DUAN An-feng;FAN Yi;LUO Jin-song;GUAN Shu-hai;SHEN Yong-hong;LIU Jing-he

Online:2006-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能.结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带.同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带.

中图分类号:

O781

段安锋;范翊;罗劲松;关树海;沈永宏;刘景和. 坩埚下降法生长CaF2单晶的研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(6): 1328-1331.

DUAN An-feng;FAN Yi;LUO Jin-song;GUAN Shu-hai;SHEN Yong-hong;LIU Jing-he. Study on the Growth of CaF2 Single Crystals by Bridgeman Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(6): 1328-1331.

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