非晶/微晶过渡区内材料性能及电池的研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 119-122.

非晶/微晶过渡区内材料性能及电池的研究

陈飞;张晓丹;赵颖;魏长春;孙建

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB202600);国家自然科学基金(60506003);天津市自然科学基金(05YFJMTC01600);中国-希腊作项目;新世纪优秀人才支持计划课题

Study on Transition Materials from Amorphous to Microcrystalline Silicon and Solar Cells

CHEN Fei;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;WEI Chang-chun;SUN Jian

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,通过调节硅烷浓度,获得了系列硅薄膜材料,并用拉曼散射光谱和X射线衍射光谱对材料的结构特性进行了测试分析,同时还使用原子力显微镜观察比较了薄膜的表面形貌.结果发现:在非晶/微晶过渡区内存在着一个光敏性较大的区域,这个区域内的材料晶化率为零,但是表面存在一些微小的晶粒;与拉曼散射光谱相比,X射线衍射光谱对微小的晶化更加敏感.以这部分材料作为太阳电池的本征层,在SnO2衬底上制备了p-i-n型太阳电池,电池的初始开路电压(Voc)达到了0.891V.

中图分类号:

O484

陈飞;张晓丹;赵颖;魏长春;孙建. 非晶/微晶过渡区内材料性能及电池的研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 119-122.

CHEN Fei;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;WEI Chang-chun;SUN Jian. Study on Transition Materials from Amorphous to Microcrystalline Silicon and Solar Cells[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(1): 119-122.

[1]	许万里, 甘云海, 李悦文, 李彬, 郑有炓, 张荣, 修向前. 高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 11-16.
[2]	马超, 熊春艳, 徐源来, 赵培. 沉积温度对MOCVD法制备固体氧化物燃料电池GDC阻挡层性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2197-2204.
[3]	杨涛, 陈彩明, 黄瑜佳, 吴少平, 徐华蕊, 汪坤喆, 朱归胜. ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1150-1159.
[4]	徐玉琦, 李晴雯, 钟敏. 化学气相沉积制备高c轴取向的BiOI薄膜[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 841-847.
[5]	初学峰, 黄林茂, 张祺, 谢意含, 胡小军. 铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 848-854.
[6]	张庆文, 单东明, 张虎, 丁然. 溶液空间限域法制备有机-无机杂化卤化铅钙钛矿单晶薄膜及其器件应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(4): 572-584.
[7]	郭钰, 刘春俊, 张新河, 沈鹏远, 张博, 娄艳芳, 彭同华, 杨建. 碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 210-217.
[8]	彭倩文, 吉祥. 退火温度对BCZT外延薄膜电学性能的影响及其导电机制分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(1): 82-89.
[9]	詹廷吾, 贾伟, 董海亮, 李天保, 贾志刚, 许并社. 多孔GaN薄膜的制备与光学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1599-1608.
[10]	南博洋, 洪瑞金, 陶春先, 王琦, 林辉, 韩朝霞, 张大伟. 基于金属锡掺杂浓度变化的光学性能可调谐ITO薄膜制备研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1617-1623.
[11]	陈根强, 赵浠翔, 于众成, 李政, 魏强, 林芳, 王宏兴. 异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 931-944.
[12]	宋长坤, 黄晓莹, 陈英鑫, 喻颖, 余思远. 半导体单量子点的分子束外延生长及调控[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 982-996.
[13]	汪正鹏, 张崇德, 孙新雨, 胡天澄, 崔梅, 张贻俊, 巩贺贺, 任芳芳, 顾书林, 张荣, 叶建东. 切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1007-1015.
[14]	李秉欣, 丁元丰, 芦红. 单晶α-Sn薄膜的外延生长及输运性质研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1025-1035.
[15]	林泽丰, 孙伟轩, 刘天想, 涂思佳, 倪壮, 柏欣博, 赵展艺, 张济全, 陈赋聪, 胡卫, 冯中沛, 袁洁, 金魁. 脉冲激光沉积技术制备超导薄膜的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1036-1051.