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人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (2): 253-255.

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碲铟汞晶体的生长研究

王领航;董阳春;介万奇   

  1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072
  • 出版日期:2007-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50336040);西北工业大学校科研和教改项目(CX200606);西北工业大学校科研和教改项目(200612)

Crystal Growth of Mercury Indium Telluride

WANG Ling-hang;DONG Yang-chun;JIE Wan-qi   

  • Online:2007-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体.X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体.

关键词: HgInTe;晶体生长;垂直布里奇曼法;光电半导体材料;近红外探测器

中图分类号: