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人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (3): 540-544.

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ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究

唐斌;邓宏;张强;税正伟;陈建勇;赵春兰   

  1. 西南石油大学理学院,成都,610500;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;西南石油大学理学院,成都,610500
  • 出版日期:2007-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(60390073);四川省应用基础研究计划(JY0290681);国家预研基金(ZJ0508)

Epitaxial Growth of ZnO Nanorods on Si Substrate

TANG Bin;DENG Hong;ZHANG Qiang;SHUI Zheng-wei;CHENG Jian-yong;ZHAO Chun-lan   

  • Online:2007-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#).通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系.1#样品:[0001]ZnO∥[114]Si,[0001]ZnO∥[1-1-4]Si,[0001]ZnO∥[11-4]Si,[0001]ZnO∥[1-14]Si,失配度为1.54;;2#样品:[0001]ZnO∥[111]Si,[21-1-0]ZnO∥[11-0]Si,[1-21-0]ZnO∥[1-01]Si ,[1-1-20]ZnO∥[011-]Si,失配度为18.12;.研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用.

关键词: ZnO纳米棒;外延生长;晶格常数;失配度

中图分类号: