RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (3): 545-549.

RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究

蔡宏琨;张德贤;何青;赵飞;陶科;席强;孙云

南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系,天津,300071;南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系,天津,300071;南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071

出版日期:2007-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA05Z422);天津市科技发展计划公关培育项目(06YFGPGX08000)

Study of XRD on Microcrystalline Silicon Thin Films Prepared by RF-PECVD

CAI Hong-kun;ZHANG De-xian;HE Qing;ZHAO Fei;TAO Ke;XI Qiang;SUN Yun

Online:2007-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究.改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的.根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,微晶硅薄膜的晶化程度不断增大.

中图分类号:

TN304

蔡宏琨;张德贤;何青;赵飞;陶科;席强;孙云. RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(3): 545-549.

CAI Hong-kun;ZHANG De-xian;HE Qing;ZHAO Fei;TAO Ke;XI Qiang;SUN Yun. Study of XRD on Microcrystalline Silicon Thin Films Prepared by RF-PECVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(3): 545-549.

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