二价阳离子掺入KDP晶体能力的研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (6): 1230-1234.

二价阳离子掺入KDP晶体能力的研究

张文彬;郑国宗;苏根博;庄欣欣;李征东

中国科学院福建物质结构研究所,福州,350002;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院福建物质结构研究所,福州,350002

出版日期:2007-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(863-804-2)

Investigation on the Doping Capability of the Divalent Cations on the KDP Crystal

ZHANG Wen-bin;ZHENG Guo-zong;SU Gen-bo;ZHUANG Xin-xin;LI Zheng-dong

Online:2007-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文旨在寻找影响杂质阳离子进入KDP晶体能力的因素,我们使用分析纯的KH2PO4和超纯水(电阻率≥18.2MΩ·cm)为原料,分别加入BaCl2·2H2O,CuCl2·2H2O和MgCl2·6H2O,通过降温方式快速生长出KDP晶体.结果表明,cu2+及Mg2+在晶体中的含量基本保持不变,不随其在生长溶液中量的增大而增大,cu2+在晶体中的含量大于Mg2+在晶体中的含量;不同的是,Ba2+在晶体中的含量随着其在生长溶液中量增大而增大.从实验结果我们推断出离子半径和离子水合热是影响二价杂质阳离子在水溶液晶体生长过程中进入KDP晶体能力的重要因素.

中图分类号:

O781

张文彬;郑国宗;苏根博;庄欣欣;李征东. 二价阳离子掺入KDP晶体能力的研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(6): 1230-1234.

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