p/i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅太阳电池性能的影响

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (6): 1368-1371.

p/i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅太阳电池性能的影响

薛俊明;韩建超;张德坤;孙建;任慧志;管智贇;赵颖;耿新华

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071

出版日期:2007-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB202602;2006CB202603);天津市科技发展基金(06YFGZGX02100)

Effects of Amorphous Silicon-carbide Buffer Layer at p/i Interface on the Performances of a-Si:H Solar Cells

XUE Jun-ming;HAN Jian-chao;ZHANG De-kun;SUN Jian;REN Hui-zhi;GUAN Zhi-yun;ZHAO Ying;GENG Xin-hua

Online:2007-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文研究了pin型非晶硅(a-Si)太阳电池p/i界面掺碳缓冲层(C-buffer layer)沉积时间对电池效率和稳定性的影响.研究发现,随着掺碳缓冲层沉积时间的增加,太阳电池的初始效率有所增加,当沉积时间增加到约60s时,电池的初始效率达最大值,而后随着沉积时间的继续增加,电池效率下降.而在太阳电池的稳定性方面,当缓冲层沉积时间小于50s时,随着沉积时间的增加,电池衰退率增大;大于50s后,电池的衰退率又随沉积时间的增大而减小.

中图分类号:

薛俊明;韩建超;张德坤;孙建;任慧志;管智贇;赵颖;耿新华. p/i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅太阳电池性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(6): 1368-1371.

XUE Jun-ming;HAN Jian-chao;ZHANG De-kun;SUN Jian;REN Hui-zhi;GUAN Zhi-yun;ZHAO Ying;GENG Xin-hua. Effects of Amorphous Silicon-carbide Buffer Layer at p/i Interface on the Performances of a-Si:H Solar Cells[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(6): 1368-1371.

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