ZnO本征半导体的点缺陷机制分析

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (6): 1416-1421.

ZnO本征半导体的点缺陷机制分析

贺永宁;武明堂;朱长纯

西安交通大学电子与信息工程学院,电子科学与技术系,西安,710049

出版日期:2007-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
985平台建设培植项目;西安交通大学校科研和教改项目

Study on Crystal Defects of Undopped ZnO Semiconductor

HE Yong-ning;WU Ming-tang;ZHU Chang-chun

Online:2007-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文根据Kroger的氧化物点缺陷拟化学平衡方法对ZnO半导体中主要点缺陷的高温热平衡浓度进行了分析和计算,在此基础上依据快速冷却条件下的缺陷"冻结"特征,揭示了室温下ZnO半导体中的亚稳态缺陷状态和载流子分布特征,从而合理揭示了ZnO晶体中点缺陷态和导电机制的依赖关系.

中图分类号:

TB43

贺永宁;武明堂;朱长纯. ZnO本征半导体的点缺陷机制分析[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(6): 1416-1421.

HE Yong-ning;WU Ming-tang;ZHU Chang-chun. Study on Crystal Defects of Undopped ZnO Semiconductor[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(6): 1416-1421.

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