多孔硅层的剥离及反射率研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (6): 1435-1439.

多孔硅层的剥离及反射率研究

陈庆东;张宇翔;郭敏;王俊平;高哲;李红菊

郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

出版日期:2007-12-15 发布日期:2021-01-20

Investigation on Porous Silicon Layer Stripping and Reflectivity

CHEN Qing-dong;ZHANG Yu-xiang;GUO Min;WANG Jun-ping;GAO Zhe;LI Hong-ju

Online:2007-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过改变电化学腐蚀电流密度的大小成功剥离了多孔硅层,并分析了多孔硅层的剥离机理,测量了多孔硅层的反射率曲线.结果表明:影响多孔硅层剥离的主要因素是多孔硅的形成临界电流密度,当电化学腐蚀的电流密度增大到100mA/cm2时,已经大于多孔硅的临界形成电流,从而发生了硅片表面的电化学抛光,并且多孔硅层对从近紫外到近红外的整个波段反射率都较低.

中图分类号:

TN304

陈庆东;张宇翔;郭敏;王俊平;高哲;李红菊. 多孔硅层的剥离及反射率研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(6): 1435-1439.

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