ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 147-150.

ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响

李林娜;薛俊明;赵亚洲;李养贤;耿新华;赵颖

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071

出版日期:2008-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
天津市科技发展基金(06YFGZGX02100);天津市自然科学基金(043604911);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB202602;2006CB202603)

Thickness Dependence of In2O3: Sn Film Properties Deposited by Reactive Evaporation

LI Lin-na;XUE Jun-ming;ZHAO Ya-zhou;LI Yang-xian;GENG Xin-hua;ZHAO Ying

Online:2008-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 氧化铟锡(indium-tin oxide, ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上.本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响.实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10-4Ω·cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×1020cm-3和66.4cm2v-1s-1.将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193;.

中图分类号:

O484

李林娜;薛俊明;赵亚洲;李养贤;耿新华;赵颖. ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(1): 147-150.

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