自然掺杂p型ZnO薄膜的螺旋波等离子体辅助溅射沉积

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 151-155.

自然掺杂p型ZnO薄膜的螺旋波等离子体辅助溅射沉积

于威;张锦川;许贺菊;张丽;杨丽华;傅广生

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2008-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河北省自然科学基金(E2006001006)

Intrinsic p-type ZnO Films by Helicon-wave-plasma Assisted Sputtering Deposition

YU Wei;ZHANG Jin-chuan;XU He-ju;ZHANG Li;YANG Li-hua;FU Guang-sheng

Online:2008-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本工作通过调整工作气压,采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在Al2O3衬底上成功的制备了自然掺杂的p型ZnO薄膜.Hall测量显示在Ar/O2等离子体辅助下,随气压增加所沉积薄膜表现出从n型到p型再到n型的转变.p型ZnO薄膜载流子浓度为1.30×1016cm-3,电阻率为99.68Ω·cm,霍尔迁移率为4cm2·V-1·s-1.X射线衍射和原子力显微镜的分析结果显示ZnO薄膜的导电类型和薄膜的生长特征相关,等离子体中活性粒子载能的减小导致薄膜表面成核几率增加和ZnO晶粒逐渐减小.较高氧活性粒子浓度有利于自然掺杂p型ZnO薄膜生长,而活性氧粒子种类的变化使薄膜生长质量变差,施主缺陷增加,薄膜转化为n型导电.

中图分类号:

O484

于威;张锦川;许贺菊;张丽;杨丽华;傅广生. 自然掺杂p型ZnO薄膜的螺旋波等离子体辅助溅射沉积[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(1): 151-155.

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