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人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 156-161.

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退火对电弧离子镀制备的ZnO薄膜的影响

王明东;郑婷;朱道云;何振辉;陈弟虎;闻立时   

  1. 中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275
  • 出版日期:2008-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家高技术研究发展计划(863计划)(2003AA311122)

Influence of Annealing on ZnO Thin Films Prepared by Cathodic Vacuum Arc Deposition

WANG Ming-dong;ZHENG Ting;ZHU Dao-yun;HE Zhen-hui;CHEN Di-hu;WEN Li-shi   

  • Online:2008-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用阴极电弧离子镀在Si、Al2O3以及玻璃衬底上制备出具有择优取向的ZnO薄膜,并对其进行退火处理.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光光谱(PL)、紫外-可见光光谱仪对ZnO薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析.XRD结果表明,所制备的ZnO薄膜具有很好的ZnO(002)择优取向,退火使ZnO(002)衍射峰向高角度方向偏移.SEM结果表明,随着退火温度升高,表面晶粒由隆起的山脉或塔状变为平面状,晶粒002面呈六边状.PL谱结果表明,随着退火温度的升高,紫外发光峰强度逐渐增强,可见光发光峰强度逐渐相对减弱.紫外可见光透过谱结果表明,退火使可见光透过率增高,光学带隙发生红移.

关键词: 阴极电弧离子沉积;ZnO薄膜;退火

中图分类号: