衬底温度对电子辅助增强化学气相沉积金刚石膜的影响

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 76-82.

衬底温度对电子辅助增强化学气相沉积金刚石膜的影响

王志军;李红莲;董丽芳;李盼来;尚勇

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学质量技术监督学院,保定,071002

出版日期:2008-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(10647123);河北大学校内青年基金(2005Q31)

Effect of Substrate Temperature on the Synthesis of Diamond Film by Electron-assisted Chemical Vapor Deposition

WANG Zhi-jun;LI Hong-lian;DONG Li-fang;LI Pan-lai;SHANG Yong

Online:2008-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本工作采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对以CH4/H2为源气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石薄膜的气相动力学过程进行了模拟.提出了衬底温度的空间梯度变化模型,研究了衬底温度对EACVD气相过程中的电子群行为以及H2和CH4分解过程的影响.结果表明:电子平均温度随着衬底温度的升高而升高;当气压较低时,分解得到的成膜关键粒子H、CH3数量随衬底温度的增大而减少;而当气压较高时,H、CH3数目随衬底温度的增大而增大;衬底温度主要改变了衬底表面附近的化学反应动力学过程,从而对薄膜质量产生了决定性的影响.

中图分类号:

O484

王志军;李红莲;董丽芳;李盼来;尚勇. 衬底温度对电子辅助增强化学气相沉积金刚石膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(1): 76-82.

WANG Zhi-jun;LI Hong-lian;DONG Li-fang;LI Pan-lai;SHANG Yong. Effect of Substrate Temperature on the Synthesis of Diamond Film by Electron-assisted Chemical Vapor Deposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(1): 76-82.

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