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人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 88-92.
唐振方;赵健;卫红;张正法
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RSS出版日期:2008-02-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:TANG Zhen-fang;ZHAO Jian;WEI Hong;ZHANG Zheng-fa
Online:2008-02-15
Published:2021-01-20
摘要： 以V2O5陶瓷烧结靶材及射频磁控溅射工艺制备V2O5薄膜,再经氩气气氛退火处理得到VO2薄膜.采用扫描电子显微镜观察不同制备条件下薄膜表面微观形貌特征,拉曼光谱和X射线光电子能谱用来分析确定退火前后薄膜的物相结构及化合价态.结果表明,溅射4h、450℃退火2h制备的薄膜结晶形态良好,VO2纯度高于94;原子分数.
中图分类号:
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TANG Zhen-fang;ZHAO Jian;WEI Hong;ZHANG Zheng-fa. Preparation of Vanadium Dioxide Thin Film by RF Magnetron Sputtering Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(1): 88-92.
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