气相法制备ZnO纳米线及其阵列的生长机制

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (2): 450-455.

气相法制备ZnO纳米线及其阵列的生长机制

彭英才;X.W.Zhao

河北大学电子信息工程学院,保定,071002;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083;Department of Physics,Tokyo University of Science,Tokyo 162-8601,Japan;中国科学院微电子学研究所纳米材料与纳米器件实验室,北京,100029

出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室项目(KLSMS04-9;KSLMS05-3)

Growth Mechanism of ZnO Nanowires and Arrays Fabricated by Vapor Phase Methods

PENG Ying-cai;X.W.Zhao

Online:2008-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 半导体纳米线和纳米棒及其阵列是具有强量子限制效应的一维纳米结构,它们所具有的新颖光学、电学、磁学和力学性质,使其在发光器件、场效应器件、存储器件和传感器件及其集成技术中具有潜在的应用.本文以生长机制为主线,简要介绍了气相法,即采用金属催化剂的气-液-固(VLS)法和不采用金属催化剂的气-固(VS)法,在ZnO纳米线及其阵列结构制备中的应用,评论了近3～5年内它们在这一领域研究中取得的研究进展.讨论了目前存在的问题,并预测了今后的发展趋势.

中图分类号:

O484

彭英才;X.W.Zhao. 气相法制备ZnO纳米线及其阵列的生长机制[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(2): 450-455.

PENG Ying-cai;X.W.Zhao. Growth Mechanism of ZnO Nanowires and Arrays Fabricated by Vapor Phase Methods[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(2): 450-455.

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