掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (2): 471-474.

掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性

彭英才;康建波;马蕾;张雷;王侠;范志东

河北大学电子信息工程学院,保定,071002;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083;河北大学电子信息工程学院,保定,071002

出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院重点实验室基金

Structural Characteristics and Electrical Properties of the Boron-doped Nanograin Polysilicon Thin Films

PENG Ying-cai;KANG Jian-bo;MA Lei;ZHANG Lei;WANG Xia;FAN Zhi-dong

Online:2008-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺,以SiH4作为反应气体源和B2H6作为硼(B)掺杂剂,在单晶Si或石英表面上,通过原位掺杂制备了掺B的纳米晶粒多晶Si(nc-poly-Si(B))薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱等手段,检测和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸和密度分布等结构特征.结果表明,在典型工艺条件下,获得了晶粒尺寸为大约15 nm和密度分布为大约9 × 1010cm-2的nc-poly-Si(B)薄膜.样品经退火处理后,Si晶粒尺寸变大,排列更加有序,而且电导特性明显改善.利用常规四探针法测量了样品的薄层电阻.并讨论了B掺杂浓度和退火温度对薄膜电学性质的影响.

中图分类号:

彭英才;康建波;马蕾;张雷;王侠;范志东. 掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(2): 471-474.

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