Sm:GdVO4晶体的生长及光谱性能研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (3): 514-518.

Sm:GdVO4晶体的生长及光谱性能研究

何晓明;张连翰;陈光珠;何明珠;杭寅

中国科学院上海光学机密机械研究所,上海,201800

出版日期:2008-06-15 发布日期:2021-01-20

Growth and Spectroscopic Properties of Sm:GdVO4 Crystal

HE Xiao-ming;ZHANG Lian-han;CHEN Guang-zhu;HE Ming-zhu;HANG Yin

Online:2008-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 应用中频感应提拉法生长出掺杂浓度为2;原子分数的Sm:GdVO4晶体,研究了室温下c轴方向sm:GdVO4晶体的吸收和荧光光谱.通过J-O理论计算出强度参数(Ωt),同时计算了对应于4G5/2能级的自发跃迁几率、荧光分支比和辐射寿命.通过荧光光谱计算了对应于566、604和646nm三个发射峰对应的发射截面,结果表明,Sm:GdVO4在604 nm的发射截面最大,是掺Sm:YAP在607 nm处发射截面的4.4倍.

中图分类号:

何晓明;张连翰;陈光珠;何明珠;杭寅. Sm:GdVO4晶体的生长及光谱性能研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(3): 514-518.

HE Xiao-ming;ZHANG Lian-han;CHEN Guang-zhu;HE Ming-zhu;HANG Yin. Growth and Spectroscopic Properties of Sm:GdVO4 Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(3): 514-518.

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