氧化钽薄膜的结构、成份和介电性能研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (3): 684-688.

氧化钽薄膜的结构、成份和介电性能研究

张幸福;魏爱香;侯通贤

广东工业大学材料与能源学院,广州,510006

出版日期:2008-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
广东工业大学校科研和教改项目(052005)

Structure, Composition and Dielectric Characterization of Tantalum Peroxide Film

ZHANG Xing-fu;WEI Ai-xiang;HOU Tong-xian

Online:2008-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar:O2比例和退火温度对样品的结构.成份和介电性能的影响.XRD、XPS和介电谱分析表明:Ar:O2比例对薄膜的结晶性能和薄膜中O/Ta原子比有较大影响,但对薄膜的介电性能没有明显的影响.900℃退火后,XRD谱中出现明显的β-Ta2O5(001)和(200)衍射峰;介电损耗谱表明介质的损耗是由微弱的电导产生的,漏电电流在损耗中占主导地位.

中图分类号:

TN304

张幸福;魏爱香;侯通贤. 氧化钽薄膜的结构、成份和介电性能研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(3): 684-688.

ZHANG Xing-fu;WEI Ai-xiang;HOU Tong-xian. Structure, Composition and Dielectric Characterization of Tantalum Peroxide Film[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(3): 684-688.

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