顶部籽晶法生长大尺寸CsLiB6O10晶体

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (4): 786-789.

顶部籽晶法生长大尺寸CsLiB6O10晶体

YU Xue-song;岳银超;HU Zhang-gui

中国科学院理化技术研究所,北京,100190;中国科学院研究生院,北京,100039

出版日期:2008-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院"百人计划";国家自然科学基金(50590402)

Growth of Large CsLiB6O10 Crystal by Top-seeded Solution Growth Method

YU Xue-song;YUE Yin-chao;HU Zhang-gui

Online:2008-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以高纯硼酸、碳酸锂和碳酸铯为原料,摩尔比硼酸:碳酸锂:碳酸铯=11:1:1,采用顶部籽晶法,生长出尺寸为65 mm×22 mm×12 mm CsLiB6O10(CLBO)单晶,探讨了影响CLBO晶体生长的因素.对生长出的CLBO晶体的相关光学性质进行了研究.CLBO晶体的光学均匀性为3.6×10-5/cm,透过光谱表明该晶体的透光范围为185 nm到2790 nm,其紫外吸收边低于185 nm;用Maker干涉条纹测定了CLBO晶体的非线性光学系数为:d36(CLBO)=1.8d36(KDP).

中图分类号:

YU Xue-song;岳银超;HU Zhang-gui. 顶部籽晶法生长大尺寸CsLiB6O10晶体[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(4): 786-789.

YU Xue-song;YUE Yin-chao;HU Zhang-gui. Growth of Large CsLiB6O10 Crystal by Top-seeded Solution Growth Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(4): 786-789.

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