硅纳米线的发光性能研究及其应用前景

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (4): 901-907.

硅纳米线的发光性能研究及其应用前景

LI Jia-lin;唐元洪;LI Xiao-xiang;李晓川

湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082

出版日期:2008-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
高等学校博士学科点专项科研项目(20040532014);教育部跨世纪优秀人才培养计划(NCET-04-0773)

Photoluminescence Property and Application Prospects of Silicon Nanowires

LI Jia-lin;TANG Yuan-hong;LI Xiao-xiang;LI Xiao-chuan

Online:2008-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 硅纳米线是一种具有优异的物理、化学及力学性能的半导体材料,其独特的光致发光性能使硅纳米线有望在低维纳米材料发展的基础上实现硅基纳米结构的光集成电路.文中重点介绍了硅纳米线光致发光特性的研究现状及其发光机制的理论研究,最后对硅纳米线的应用前景加以展望.

中图分类号:

TB383

LI Jia-lin;唐元洪;LI Xiao-xiang;李晓川. 硅纳米线的发光性能研究及其应用前景[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(4): 901-907.

LI Jia-lin;TANG Yuan-hong;LI Xiao-xiang;LI Xiao-chuan. Photoluminescence Property and Application Prospects of Silicon Nanowires[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(4): 901-907.

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