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人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (5): 1069-1072.

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超声喷雾法制备In2S3薄膜及后续快速热处理对薄膜性能的影响

陈雄飞;汪雷;杨德仁   

  1. 浙江大学材料科学与化学工程系硅材料国家重点实验室,杭州,310027
  • 出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(60544006);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2007CB613403)

Preparation of In2Ss Thin Films by Ultrasonic Spray Pyrolysis and the Influence of Post Rapid Thermal Process

CHEN Xiong-fei;WANG Lei;YANG De-ren   

  • Online:2008-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用超声喷雾法制备了硫化铟(In2S3)薄膜,并考察了后续快速热处理(rapid thermal process,RTP)对硫化铟薄膜性能的影响.采用扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)等手段对薄膜的形貌、结构、透射率等性质进行了表征.结果表明:超声喷雾法制备的In2S3,薄膜均匀致密,采用RTP热处理可提高薄膜的结晶性能,但对薄膜的透光性影响较小.通过计算可以得出薄膜的禁带宽度约为2.25~2.38 eV.

关键词: 硫化铟;快速热处理;超声喷雾法

中图分类号: