GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (5): 1091-1096.

GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究

田彦宝;吉元;赵跃;吴迪;郭霞;沈光地;索红莉;周美玲

北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100022;北京工业大学材料学院,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022

出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60171024);北京市教委资助项目(200610005030)

Studies of Interfacial Thermal Stresses in a GaAs-GaN Bond with the Electron Backscatter Diffraction

TIAN Yan-bao;JI Yuan;ZHAO Yue;WU Di;GUO Xia;SHEN Guang-di;SUO Hong-li;ZHOU Mei-ling

Online:2008-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量.利用EBSD测量了GaAs-GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数.结果表明,晶片键合质量良好,键合界面中心区域的热应力小于边缘区域的热应力.GaN层和GaAs层中的应力影响范围,在中心区域分别约为100 nm和300 nm,在边缘区域分别约为100 nm和500nm.EBSD显示的应力分布图与模拟应力场相似.模拟和计算表明,最大剥离应力和剪切应力分布在键合界面的边缘.剥离应力是导致晶片解键合的主要原因.

中图分类号:

TN454

田彦宝;吉元;赵跃;吴迪;郭霞;沈光地;索红莉;周美玲. GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1091-1096.

TIAN Yan-bao;JI Yuan;ZHAO Yue;WU Di;GUO Xia;SHEN Guang-di;SUO Hong-li;ZHOU Mei-ling. Studies of Interfacial Thermal Stresses in a GaAs-GaN Bond with the Electron Backscatter Diffraction[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(5): 1091-1096.