透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (5): 1117-1120.

透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性

李娟;胡小波;高玉强;王翎;徐现刚

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50472068);教育部跨世纪优秀人才培养计划;山东省自然科学基金

Investigation on Growth Habit of AIN Crystal by TEM and HRXRD Method

LI Juan;HU Xiao-bo;GAO Yu-qiang;WANG Ling;XU Xian-gang

Online:2008-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AIN单晶生长习性进行了研究.结果表明,在低温下,AIN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AIN单晶显露面转化为(1120)面.沟槽结构是高温下得到的AIN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向.

中图分类号:

O782

李娟;胡小波;高玉强;王翎;徐现刚. 透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1117-1120.

LI Juan;HU Xiao-bo;GAO Yu-qiang;WANG Ling;XU Xian-gang. Investigation on Growth Habit of AIN Crystal by TEM and HRXRD Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(5): 1117-1120.

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