B位复合离子取代BNT无铅陶瓷的压电介电性能

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (5): 1152-1156.

B位复合离子取代BNT无铅陶瓷的压电介电性能

单召辉;刘心宇;杨桂华;周昌荣

桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,桂林,541004;桂林工学院电子与计算机系,桂林,541004

出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
广西自然科学基金(0447092)

Effect of B-site Complex Ions Substitution on Dielectric and Piezoelectric Properties of BNT Lead-free Piezoelectric Ceramics

SHAN Zhao-hui;LIU Xin-yu;YANG Gui-hua;ZHOU Chang-rong

Online:2008-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Tix(Mg1/3Nb2/3)xO3,系无铅压电陶瓷.研究了B位复合离子取代对BNT陶瓷的晶体结构及压电与介电性能的影响.X射线衍射分析表明,所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体;当x=0.015时,该体系陶瓷具有较佳的压电性能:压电常数d33=101 pC/N;k,=0.48.陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征.该体系陶瓷具有高kt值,低kp值;其比值kt/kp较大,具有较大的各向异性,是一种适合高频下使用的优良的超声换能材料.

中图分类号:

TM282

单召辉;刘心宇;杨桂华;周昌荣. B位复合离子取代BNT无铅陶瓷的压电介电性能[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1152-1156.

SHAN Zhao-hui;LIU Xin-yu;YANG Gui-hua;ZHOU Chang-rong. Effect of B-site Complex Ions Substitution on Dielectric and Piezoelectric Properties of BNT Lead-free Piezoelectric Ceramics[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(5): 1152-1156.

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