MOCVD反应器热流场的数值模拟研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (6): 1342-1348.

MOCVD反应器热流场的数值模拟研究

钟树泉;任晓敏;王琦;黄辉;黄永清;张霞;蔡世伟

北京邮电大学光通信与光波导教育部重点实验室,北京,100876

出版日期:2008-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB314901);国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA03Z416);教育部长江学者和创新团队发展计划(IRT0609);国家自然科学基金(90601002);国家自然科学基金(10773002);教育部跨世纪优秀人才培养计划(NCET-05-0111);高等学校学科创新引智计划(B07005);北京市教委共建项目(XK100130637);北京市科技新星计划项目(2006A46)

Numerical Simulation of Flow and Temperature Field in MOCVD Reactor

ZHONG Shu-quan;REN Xiao-min;WANG Qi;HUANG Hui;HUANG Yong-qing;ZHANG Xia;CAI Shi-wei

Online:2008-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文以低压、旋转、垂直喷淋结构的MOCVD反应器为对象,应用二维数学模型分析与计算,对反应器内部的质量输运过程进行了比较详细的研究与讨论.通过计算发现:在一定范围内,增加进气流量Q、降低操作压力P、设定适宜的生长温度t、保持合理的基座转速ω等,不仅可以非常有效地抑制热浮力效应,同时也使衬底表面流体的流动速度进一步增加,从而实现反应器内部的流场和温度场的均匀分布.研究的结果,不仅为高品质的外延生长提供了有效的解决方案,而且也为MOCVD反应器的优化设计提供了重要的参考依据.

中图分类号:

TN304

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