宽带隙化合物半导体Zn1-xMgxO薄膜的制备

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (6): 1361-1364.

宽带隙化合物半导体Zn1-xMgxO薄膜的制备

边楠;张晓丹;张霞;赵颖;杨瑞霞

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津 300071;河北工业大学信息学院,天津,300130;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津 300071;河北工业大学信息学院,天津,300130

出版日期:2008-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
天津市自然科学基金(05YFJMTC01600);天津市重点科研项目(06YFJZJC01700);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB202602;2006CB202603);国家自然科学基金(60506003);南开大学校科研和教改项目(J02031);科技部国际科技合作计划(2006DFA62390);国家高技术研究发展计划(863计划)(2007AA05Z436);教育部跨世纪优秀人才培养计划

Fabrication of Wide Band-gap Semiconductor Zn1-xMgxO Thin Film

BIAN Nan;ZHANG Xiao-dan;ZHANG Xia;ZHAO Ying;YANG Rui-xia

Online:2008-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜.所有样品在可见光范围内的透过率可达到85;以上.X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化.光致发光谱表明Mg掺入后ZnO薄膜的紫外发射峰出现了蓝移,实现了对禁带宽度的调节.

中图分类号:

O484

边楠;张晓丹;张霞;赵颖;杨瑞霞. 宽带隙化合物半导体Zn1-xMgxO薄膜的制备[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(6): 1361-1364.

BIAN Nan;ZHANG Xiao-dan;ZHANG Xia;ZHAO Ying;YANG Rui-xia. Fabrication of Wide Band-gap Semiconductor Zn1-xMgxO Thin Film[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(6): 1361-1364.

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宽带隙化合物半导体Zn1-xMgxO薄膜的制备

Fabrication of Wide Band-gap Semiconductor Zn1-xMgxO Thin Film

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