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人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (6): 1489-1492.

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CeO2掺杂对NBT-KBT-BT无铅压电陶瓷性能的影响

黄新友;魏敏先;陈志刚;高春华;崔永臻   

  1. 江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013
  • 出版日期:2008-12-15 发布日期:2021-01-20

Influence of CeO2 Doping on Properties of NBT-KBT-BT Lead-free Piezoelectric Ceramics

HUANG Xin-you;WEI Min-xian;CHEN Zhi-gang;GAO Chun-hua;CUI Yong-zhen   

  • Online:2008-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用固相法,利用XRD、SEM等测试分析方法,系统研究了CeO2掺杂对0.85(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.144(K0.5Bi0.5)TiO3-0.006BaTiO3(NBT-KBT-BT)无铅压电陶瓷结构和性能的影响.研究结果表明:所有组成的陶瓷的物相均为单一钙钛矿型结构相,CeO2的掺杂只改变晶胞体积或产生铋离子空位或钠离子空位,不形成异相.CeO2掺杂使晶粒尺寸趋于平均,形状由四方状向粒状转变,对晶粒生长有抑制作用.随着CeO2掺杂量增加,压电陶瓷的压电应变常数d33先增大然后降低、介电常数ε先增大然后降低,介质损耗tanδ一直降低.当CeO2的掺杂量为0.1 ;质量分数时,NBT-KBT-BT 无铅压电陶瓷的综合性能最佳,其性能为:d33=156 pC/N、tan δ=3.8;、ε=1364.

关键词: 无铅压电陶瓷;掺杂;性能;CeO2

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