液面位置对φ300mm硅单晶固液界面形状影响的数值计算

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (6): 1571-1574.

液面位置对φ300mm硅单晶固液界面形状影响的数值计算

王学锋;高宇;戴小林;吴志强;张国虎;周旗钢

有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;北京有色金属研究总院,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088

出版日期:2008-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国际科技合作项目(2007DFC50310)

Numerical Simulation of Effect Melt Level on the Interface Shape during φ300 mm Silicon Single Crystal Growth

WANG Xue-feng;GAO Yu;DAI Xiao-lin;WU Zhi-qiang;ZHANG Guo-hu;ZHOU Qi-gang

Online:2008-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 数值模拟技术已经成为分析和优化工业化晶体生长工艺必不可少的工具.本文利用有限元分析软件计算了φ300 mm直拉硅单晶生长过程中,不同液面位置时的晶体固液界面形状,模拟计算考虑了热传导、辐射、气流等物理现象,分析了晶体长度和液面位置对晶体生长界面形状的影响,得出了随着晶体长度的增加固液界面的凸度会增大的规律.

中图分类号:

TN304

王学锋;高宇;戴小林;吴志强;张国虎;周旗钢. 液面位置对φ300mm硅单晶固液界面形状影响的数值计算[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(6): 1571-1574.

WANG Xue-feng;GAO Yu;DAI Xiao-lin;WU Zhi-qiang;ZHANG Guo-hu;ZHOU Qi-gang. Numerical Simulation of Effect Melt Level on the Interface Shape during φ300 mm Silicon Single Crystal Growth[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(6): 1571-1574.

[1]	李阳, 曹昆, 介万奇. 热处理GaSb衬底对近距离升华法制备CdZnTe外延膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1705-1711.
[2]	吴蕊, 胡洋, 唐荣芬, 阳倩, 王序, 吴怡逸, 聂登攀, 王环江. MOCVD生长ZnO薄膜的气相寄生反应路径研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1608-1619.
[3]	钟琼丽, 王绪, 马奎, 杨发顺. Al掺杂对β-Ga₂O₃薄膜光学性质的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1352-1360.
[4]	康杰, 丁紫阳, 王晓燕, 李连荣, 孙为云, 焦璨, 宋月鹏. 腐蚀法制备SiC量子点粒径调控及尺寸对其光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(4): 684-691.
[5]	李传皓, 李忠辉, 彭大青, 张东国, 杨乾坤, 罗伟科. 大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 252-257.
[6]	马玉麟, 郭祥, 丁召. GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(1): 25-37.
[7]	赵小玻, 韦中华, 张旭, 钱纁, 于浩海. 化学气相沉积ZnS、ZnSe研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(12): 2125-2134.
[8]	王黎光, 芮阳, 盛旺, 马吟霜, 马成, 陈炜南, 邹啟鹏, 杜朋轩, 黄柳青, 罗学涛. 横向磁场下坩埚转速对半导体级直拉单晶硅熔体中流场与氧浓度的影响机制[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1641-1650.
[9]	聂凡, 韩硕, 曾冬梅. 双轴应变对单层CdZnTe电子特性和光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(8): 1394-1399.
[10]	陈根强, 赵浠翔, 于众成, 李政, 魏强, 林芳, 王宏兴. 异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 931-944.
[11]	宋长坤, 黄晓莹, 陈英鑫, 喻颖, 余思远. 半导体单量子点的分子束外延生长及调控[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 982-996.
[12]	彭大青, 李忠辉, 蔡利康, 李传皓, 杨乾坤, 张东国, 罗伟科. 基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 746-752.
[13]	吴锐文, 宋华平, 杨军伟, 屈红霞, 赖晓芳. 基于聚氨酯垫的4H-SiC单晶衬底研磨性质研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 759-765.
[14]	殷鑫燕, 陈鹏, 梁子彤, 赵红. MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 791-797.
[15]	屈鹏霏, 金鹏, 周广迪, 王镇, 许敦洲, 吴巨, 郑红军, 王占国. 单晶金刚石异质外延用铱复合衬底研究现状[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 857-877.