垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (1): 44-47.

垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究

王立苗;赵北君;朱世富;唐世红;何知宇;肖怀安

四川大学材料科学系,成都,610064

出版日期:2009-02-15 发布日期:2021-01-20

Study on Copper Single Crystal Grown by Vertical Bridgman Method

WANG Li-miao;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;TANG Shi-hong;HE Zhi-yu;XIAO Huai-an

Online:2009-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景.本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30 ℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体.生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整.

中图分类号:

O782

王立苗;赵北君;朱世富;唐世红;何知宇;肖怀安. 垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(1): 44-47.

WANG Li-miao;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;TANG Shi-hong;HE Zhi-yu;XIAO Huai-an. Study on Copper Single Crystal Grown by Vertical Bridgman Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 38(1): 44-47.

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