人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (2): 301-304.
赵国栋;朱世富;赵北君;万书权;陈宝军;何知宇;王莹;龙勇
出版日期:
2009-04-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
ZHAO Guo-dong;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-jun;WAN Shu-quan;CHEN Bao-jun;HE Zhi-yu;WANG Ying;LONG Yong
Online:
2009-04-15
Published:
2021-01-20
摘要: 采用DTA对不同铟含量(x)的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试.结果表明:随着x值的增加其过冷度增大.采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术,对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究,并对其结晶形态进行了观测.发现:随着晶体生长过程的进行,熔体结晶温度呈下降趋势,固-液界面发生移动;生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔,有取向一致的台阶反光面,小孔底部为{112}面.研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基础,生长出了尺寸达20 mm×60 mm的完整AgGa1-xInxSe2单晶体.
中图分类号:
赵国栋;朱世富;赵北君;万书权;陈宝军;何知宇;王莹;龙勇. AgGa1-xInxSe2晶体的生长习性研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(2): 301-304.
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