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人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (2): 301-304.

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AgGa1-xInxSe2晶体的生长习性研究

赵国栋;朱世富;赵北君;万书权;陈宝军;何知宇;王莹;龙勇   

  1. 四川大学材料科学系,成都,610064
  • 出版日期:2009-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20040610024)

Study on the Growth Habits of AgGa1-xInxSe2 Crystals

ZHAO Guo-dong;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-jun;WAN Shu-quan;CHEN Bao-jun;HE Zhi-yu;WANG Ying;LONG Yong   

  • Online:2009-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用DTA对不同铟含量(x)的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试.结果表明:随着x值的增加其过冷度增大.采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术,对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究,并对其结晶形态进行了观测.发现:随着晶体生长过程的进行,熔体结晶温度呈下降趋势,固-液界面发生移动;生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔,有取向一致的台阶反光面,小孔底部为{112}面.研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基础,生长出了尺寸达20 mm×60 mm的完整AgGa1-xInxSe2单晶体.

关键词: AgGa1-xInxSe2;晶体生长;布里奇曼法;生长习性;实时补温技术

中图分类号: