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人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (2): 326-329.

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红外非线性光学晶体CdSe生长与性能表征

曾体贤;赵北君;朱世富;何知宇;卢大洲;陈宝军;唐世红   

  1. 四川大学材料科学系,成都,610064
  • 出版日期:2009-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家高技术研究发展计划(863计划)(2202AA325030)

Growth and Properties Characterization of IR Nonlinear Optics Crystal CdSe

ZENG Ti-xian;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;HE Zhi-yu;LU Da-zhou;CHEN Bao-jun;TANG Shi-hong   

  • Online:2009-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用垂直无籽晶气相法(VUVG)生长出尺寸达26 mm×45 mm的CdSe单晶体,对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论.采用气相升华法提纯后的CdSe多晶原料的X射线粉末衍射谱与PDF卡片值(65-3436)吻合,生长出的单晶体{100}和(110)面XRD衍射峰尖锐,无杂峰,且{100}面出现3级衍射峰.晶锭密度为5.74 g/cm3,与理论计算值接近.退火处理后的晶片在1000~7000 cm-1 红外波段范围内透过率达到70;.采用VUVG法生长的CdSe单晶体,结晶性能好、结构致密、尺寸大和红外透过率高,可用于制备红外非线性光学器件.

关键词: CdSe单晶;气相生长;VUVG法;性能表征

中图分类号: