ZnO能带及态密度的密度泛函理论研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (2): 440-444.

ZnO能带及态密度的密度泛函理论研究

郭连权;武鹤楠;刘嘉慧;马贺;宋开颜;李大业

沈阳工业大学理学院,沈阳,110023;沈阳工业大学基础教育学院,沈阳,110023

出版日期:2009-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
沈阳工业大学博士基金(521101302)

Density Functional Theory Study on Energy Band and Density of States of ZnO

GUO Lian-quan;WU He-nan;LIU Jia-hui;MA He;SONG Kai-yan;LI Da-ye

Online:2009-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用基于密度泛函理论框架下第一性原理的平面波赝势方法,并采用局域密度近似(LDA)理论和ABINIT软件对ZnO电子结构进行了计算.得到了ZnO的能带和态密度曲线.研究表明,ZnO的价带基本上可以分为三个区域,即下价带区、上价带区和位于-18.1 eV处的宽度为1.1 eV的价带;导带部分主要是由Zn的4s态贡献的,O的2p态在该区域内具有微弱的贡献;ZnO是一种直接宽禁带半导体,导带底和价带顶位于布里渊区中心处,带隙为0.9 eV,相对比较该结果优于一些文献给出的计算值.

中图分类号:

郭连权;武鹤楠;刘嘉慧;马贺;宋开颜;李大业. ZnO能带及态密度的密度泛函理论研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(2): 440-444.

GUO Lian-quan;WU He-nan;LIU Jia-hui;MA He;SONG Kai-yan;LI Da-ye. Density Functional Theory Study on Energy Band and Density of States of ZnO[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 38(2): 440-444.

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