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人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 556-560.

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沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响

于军;王晓晶;雷青松;彭刚;徐玮   

  1. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;湖北省光伏工程技术研究中心,武汉,430074
  • 出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金重大项目(90407023)

Effects of Deposition Pressure on Nanocrystalline Silicon Thin Film by Magnetron Sputtering

YU Jun;WANG Xiao-jing;LEI Qing-song;PENG gang;XU Wei   

  • Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4~9 Pa)对薄膜结构和性能的影响.利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征.结果表明:随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04~2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰, 随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132~96 Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低.

关键词: 氢化纳米硅;磁控溅射;沉积压力;光学带隙

中图分类号: