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人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 772-776.

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掺杂量对ZnO陶瓷靶材性能影响的研究

赵静;刘丽杰;蔡宁;薛俊明;赵颖   

  1. 天津新华职工大学,天津,300040;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071
  • 出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    天津市重点基金(06YFJZJC01700);国家重点基础研究发展规划(973计划)(2006CB202602;2006CB202603)

Study on Effect of Doping Content on the Performance of ZnO Ceramic Target

ZHAO Jing;LIU Li-jie;CAI Ning;XUE Jun-ming;ZHAO Ying   

  • Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO: Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响.结果表明:Al2O3掺杂量是影响ZnO陶瓷靶材导电性的重要因素之一.随Al: Zn原子比从0: 100变化至8.0: 100,电阻率呈现先递减后递增的规律.当Al: Zn原子比为4.0: 100时,所制备的ZnO陶瓷靶材电阻率最低,为4.1×10-3 Ω·cm;当Al掺杂量超过某一数值后,将导致锌铝尖晶石相(ZnAl2O4)的生成,从而使材料的电阻率升高.为了获得高导电性能的ZnO靶材,必须精确控制Al的掺入量,以防止锌铝尖晶石的生成.

关键词: ZnO;掺杂;电学特性

中图分类号: