激光退火实现非晶Si晶化的成核势垒研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (4): 876-879.

激光退火实现非晶Si晶化的成核势垒研究

邓泽超;褚立志;丁学成;梁伟华;傅广生;王英龙

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2009-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(10774036);河北省自然科学基金(E2008000631);河北省教育厅(Z2007222);河北大学博士启动基金(Y2007100)

Study on Nucleation Potential Barrier of Amorphous Si Crystallization by Laser Annealling

DENG Ze-chao;CHU Li-zhi;DING Xue-cheng;LIANG Wei-hua;FU Guang-sheng;WANG Ying-long

Online:2009-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用脉冲激光烧蚀技术,在真空条件下沉积了一系列非晶Si薄膜,并对薄膜样品进行不同能量密度的激光退火处理.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、Raman散射仪(Raman)等手段对退火后的薄膜进行形貌、晶态成分表征,确定了非晶Si薄膜晶化的激光能量密度阈值(85 mJ/cm2).结合激光晶化机理进行定量计算.结果显示:形成一个18 nm的Si晶粒所需要的能量,即成核势垒大小约为1.4×10-9 mJ.

中图分类号:

O484

邓泽超;褚立志;丁学成;梁伟华;傅广生;王英龙. 激光退火实现非晶Si晶化的成核势垒研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 876-879.

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