人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (5): 1063-1067.
夏海平;张嗣春;王金浩;章践立
出版日期:
2009-10-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
XIA Hai-ping;ZHANG Si-chun;WANG Jin-hao;ZHANG Jian-li
Online:
2009-10-15
Published:
2021-01-20
摘要: 以K_2O为助熔剂,应用坩埚下降法生长出了Co~(2+) 初始浓度为0.5 mol;,以及ZnO分别为3 mol;与6 mol;的单掺与双掺杂SLN晶体(分别用SLN0, SLN3, SLN6表示).测定了晶体上下部位的吸收与发射光谱.在晶体的吸收光谱中均可观察到520 nm,549 nm,612 nm,1447 nm四个吸收峰,表明Co~(2+)处于晶体的八面体场中.ZnO的掺入明显地改变了吸收峰的相对强度.在520 nm光的激发下,观察到776 nm的荧光发射,其荧光强度的相对强弱也与ZnO的掺杂量有明显的联系.从吸收边带估算出SLN0, SLN3, SLN6晶体中Li2O的含量分别为49.06 mol;,49.28 mol;, 49.10 mol;.ZnO的掺杂量对Co~(2+)在铌酸锂晶体中的浓度分布有很大的影响作用,当ZnO的掺入量为3 mol;时,明显地抑制了Co~(2+)在LiNbO_3晶体中的掺入,当ZnO掺杂量达到6 mol;时,抑制作用减弱.本文从Zn~(2+)在LiNbO_3中随浓度变化的分凝情况以及对Co~(2+)的排斥作用解释了Co~(2+)在晶体中的分布特性以及光谱的变化情况.
中图分类号:
夏海平;张嗣春;王金浩;章践立. Zn,Co双掺杂近化学计量比LiNbO_3晶体的生长及性能[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(5): 1063-1067.
XIA Hai-ping;ZHANG Si-chun;WANG Jin-hao;ZHANG Jian-li. Growth and Properties of Zn, Co Co-doped Near-stoichiometric LiNbO_3 Crystal[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(5): 1063-1067.
[1] | 胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210. |
[2] | 石爱红;李源;艾文森. 碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1787-1793. |
[3] | 韩博;李进;安百俊. 石墨坩埚厚度对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1904-1910. |
[4] | 王健;程红娟;高彦昭. 长波红外用准相位匹配材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1397-1404. |
[5] | 倪友保;韩卫民;吴海信;毛明生;黄昌保;王振友;姜鹏飞. 大尺寸长波红外非线性晶体CdSe生长及应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1488-1489. |
[6] | 袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491-1493. |
[7] | 张国栋;程奎;张龙振;陶绪堂. 中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1494-1498. |
[8] | 陈莹;袁泽锐;方攀;谢婧;张羽;尹文龙;康彬. 新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1505-1508. |
[9] | 李宝珠;高彦昭;王健;程红娟;陈毅;姚宝权. 高质量CdSe单晶生长及其OPO性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1517-1522. |
[10] | 姚晶晶;任国强;李腾坤;苏旭军;邱永鑫;许磊;高晓冬;徐科. 氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1157-1161. |
[11] | 茅艳琳;左然. 行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1168-1175. |
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[13] | 齐红基;邵建达;吴福林;王斌;陈端阳. KDP类晶体快速生长技术研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1004-1009. |
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