人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (5): 1098-1102.
陈燕;江向平;涂娜;冯子义;陈超;李月明
出版日期:
2009-10-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
CHEN Yan;JIANG Xiang-ping;TU Na;FENG Zi-yi;CHEN Chao;LI Yue-ming
Online:
2009-10-15
Published:
2021-01-20
摘要: 采用固相反应法制备了K_(0.44)Na_(0.52)Li_(0.04)Nb_(0.86)Ta_(0.10)Sb_(0.04)O_3+x mol ;K_4CuNb_8O_(23)(0≤x≤2)(简称LF4-KCN)无铅压电陶瓷,使用XRD、SEM、 Agilent 4294A精密阻抗分析仪等对该体系的相组成、显微结构、压电及介电等性能进行表征.XRD分析表明,随着KCN含量的增加,室温时样品由四方相向正交相转变,且当x≥1时,出现K_6Li_4Nb_(10)O_(30)杂相.SEM分析表明,掺入KCN后,样品晶粒尺寸减小,晶粒轮廓清晰.随着KCN含量的增加,在100 ℃附近的介电常数温度曲线上出现第二介电常数极大值,即正交→四方铁电相变温度T_(O-T),同时居里温度TC向低温方向移动.KCN掺杂量对LF4的电性能有很大影响,表现为"硬性"掺杂,其压电常数d_(33),平面机电耦合系数k_p,1kHz频率下的介电损耗tanδ和介电常数ε_r均随着 KCN含量的增加而降低,而机械品质因素Q_m整体提高,样品的密度也显著增大.
中图分类号:
陈燕;江向平;涂娜;冯子义;陈超;李月明. K_4CuNb_8O_(23)掺杂对K_(0.44)Na_(0.52)Li_(0.04)Nb_(0.86)Ta_(0.10)Sb_(0.04)O_3压电陶瓷性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(5): 1098-1102.
CHEN Yan;JIANG Xiang-ping;TU Na;FENG Zi-yi;CHEN Chao;LI Yue-ming. Effect of K_4CuNb_8O_(23) Doped on the Properties of K_(0.44)Na_(0.52)Li_(0.04)Nb_(0.86)Ta_(0.10)Sb_(0.04)O_3 Piezoelectric Ceramics[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 38(5): 1098-1102.
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