欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 分享到:

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (1): 169-173.

• • 上一篇    下一篇

膜厚对Zr,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜结构和光电性能的影响

袁玉珍;王辉;张化福;刘汉法;刘云燕   

  1. 山东理工大学理学院,淄博,255049;山东理工大学理学院,淄博,255049;山东理工大学材料科学与工程学院,淄博,255049
  • 出版日期:2010-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    山东理工大学"功能材料"研究创新项目(CX0602)

Effect of Film Thickness on Structure and Optoelectrical Properties of Zr, Al Co-doped ZnO Transparent Conducting Thin Films

  • Online:2010-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜.用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌.研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.另外还研究了薄膜的结构、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.当薄膜厚度为843 nm时,电阻率具有最小值1.18×10~(-3) Ω·cm,在可见光区(500~800 nm)平均透过率超过93;.

关键词: 磁控溅射;Zr,Al共掺杂ZnO;膜厚;透明导电薄膜

中图分类号: