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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (1): 190-196.
杨世才;阿布都艾则孜·阿布来提;简基康;郑毓峰;孙言飞;吴荣
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RSS出版日期:2010-02-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2010-02-15
Published:2021-01-20
摘要： 在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370 ℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜.X射线衍射图谱表明:温度大于180 ℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜.衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善. 1.5 Pa的纯氮气气氛和Si(100)衬底是最佳择优生长条件.由紫外-可见光透射谱计算得到:在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为 1 μm、光学能隙为6.1 eV.原子力显微镜照片表明:在Si(100)衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2 nm.
中图分类号:
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