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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (1): 232-236.

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磁控溅射法制备AlN: Er薄膜的XPS和PL研究

许鸿彬;刘文;张勇;吕文中   

  1. 深圳大学广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳,518060;华中科技大学电子科学技术系,武汉,430074
  • 出版日期:2010-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    教育部(广东省)光电子器件与系统重点实验室开放基金(2007008)

Study on XPS and PL of Er Doped AlN Film Prepared by Magnetron Sputtering Method

  • Online:2010-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用磁控溅射法,以Al/Er合金为靶材,在Si衬底上制备出AlN: Er薄膜.XRD分析结果表明样品为非晶态.XPS分析结果表明,制备的AlN具有良好的化学计量比,Er的含量为1 at;左右,氧很难避免,含量约为10;.光致发光光谱的测试表明,样品的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征,其中,尖荧光峰谱源于Er~(3+)的4f轨道直接激发跃迁,而宽谱则与Er~(3+)的4f轨道的间接激发跃迁和O杂质有关.

关键词: 磁控溅射;掺铒氮化铝;X射线光电子能谱;光致发光光谱

中图分类号: