退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (1): 62-66.

退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究

郭颖楠;刘保亭;赵敬伟;王宽冒;王玉强;孙杰;陈剑辉

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002

出版日期:2010-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60876055);河北省自然科学基金(E2008000620,E2009000207);教育部科学技术研究重点项目(207013);河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(08965124D)

Effect of Annealing Conditions on the Structural and Physical Properties of Si-based Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3 Ferroelectric Capacitors with Ti-Al Film As a Barrier Layer

Online:2010-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3/La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Ti-Al/Si (LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si)异质结,研究了550 ℃常规退火(CTA)和快速退火(RTA)工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响.实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6 min的样品具有较好的物理性能.在418 kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22 μC/cm~2和83 kV/cm.LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场强度低于46.7 kV/cm时为欧姆导电,高于46.7 kV/cm时为肖特基导电机制.

中图分类号:

O484

郭颖楠;刘保亭;赵敬伟;王宽冒;王玉强;孙杰;陈剑辉. 退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(1): 62-66.

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