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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 308-312.

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α-Al2O3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长

康朝阳;刘忠良;唐军;陈香存;徐彭寿;潘国强   

  1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;淮北师范大学物理与电子信息学院,淮北,235000
  • 出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50572100;50872128);安徽省高等学校省级自然科学研究项目(KJ2010B189)

Epitaxial Growth of 6H-SiC Thin Films on α-Al2O3 Substrates by SSMBE

KANG Chao-yang;LIU Zhong-liang;TANG Jun;CHEN Xiang-cun;XU Peng-shou;PAN Guo-qiang   

  • Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用固源分子束外延(SSMBE)技术,在α-Al2O3(0001)衬底上直接制备出了SiC薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、Raman光谱、X射线扫描、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)等实验技术,对生长的样品的结构和结晶质量进行了表征.结果表明:在蓝宝石衬底上生长出了结晶性能良好的6H-SiC薄膜,且薄膜中存在较小的压应力,这种压应力是由薄膜与衬底之间热膨胀系数的差异所致.

关键词: SiC薄膜;蓝宝石衬底;固源分子束外延

中图分类号: