单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 524-528.

单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟

苏文佳;左然;Vladimir Kalaev

江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013;STR Group, St. Petersburg, Russia

出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
江苏省普通高校研究生科研创新计划资助项目(1291130015)

Optimization of Crystal Growth by Changes of Flow Guide, Radiation Shield and Insulation in CZ Si Furnace

SU Wen-jia;ZUO Ran;Vladimir Kalaev

Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在CZ法生长太阳能级单晶硅中,单晶炉的导流筒、热屏和炭毡对晶体生长有很大影响.通过对上述三个部件进行改进优化,并通过数值模拟对优化前后晶体和熔体的热场、热屏外表面与石英坩埚内壁面之间的氩气流场以及晶体中的热应力进行分析,得出以下结论:石墨导流筒的引入减少了炉体上部的氩气流动涡胞,进而减少了SiO在单晶炉上部的沉积;优化后的热屏减少了加热器对晶体的烘烤,使结晶速率加快;优化后的侧壁炭毡阻止了加热器向上部的热损失.优化后在加热器功耗不变时,结晶速率至少可提高35;,而不增加宏观位错的发生概率.

中图分类号:

苏文佳;左然;Vladimir Kalaev. 单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 524-528.

SU Wen-jia;ZUO Ran;Vladimir Kalaev. Optimization of Crystal Growth by Changes of Flow Guide, Radiation Shield and Insulation in CZ Si Furnace[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2010, 39(2): 524-528.

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