Ca2+掺杂γ-La2S3多晶的制备

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (3): 568-572.

Ca2+掺杂γ-La2S3多晶的制备

张素敏;李焕勇;李培森;介万奇

西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

出版日期:2010-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家"863"专题基金(2009AA03Z431)

Preparation of γ-La2S3 Polycrystalline Pellet by Doping Ca2+

ZHANG Su-min;LI Huan-yong;LI Pei-sen;JIE Wan-qi

Online:2010-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文以气固反应硫化得到的γ-La2S3粉体为原料,采用热压烧结的方法制备出了γ-La2S3多晶体片.研究了不同Ca2+掺杂量对得到粉体相结构的影响,并分析了烧结温度、保温时间对多晶体γ-La2S3红外透过率的影响.结果表明:掺入碱土金属离子Ca2+有利于低温获得稳定的高温型γ-La2S3相,在Ca/La物质的量比为1:5～1:15时能得到纯相的γ-La2S3粉体.在烧结温度为1100 ℃,保温时间为1 h时制备出的γ-La2S3多晶体片,晶粒细小均匀,无明显气孔,在10～14 μm波段的最大红外透过率约为40;.

中图分类号:

张素敏;李焕勇;李培森;介万奇. Ca2+掺杂γ-La2S3多晶的制备[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(3): 568-572.

ZHANG Su-min;LI Huan-yong;LI Pei-sen;JIE Wan-qi. Preparation of γ-La2S3 Polycrystalline Pellet by Doping Ca2+[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2010, 39(3): 568-572.

[1]	周玄, 程国峰, 何代华. InSeI单晶的制备及其结构与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2252-2255.
[2]	张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983.
[3]	任国强;刘宗亮;李腾坤;徐科. 氮化镓单晶的液相生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2024-2037.
[4]	李金钗;高娜;林伟;蔡端俊;黄凯;李书平;康俊勇. AlGaN量子结构及其紫外光源应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2068-2078.
[5]	王艳丰;王宏兴. MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2139-2152.
[6]	胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210.
[7]	胡子钰;张敏;林秀钦;祁英昆;卢俊业;李静雯;郑国宗. 点籽晶定向生长70;DKDP晶体的研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1776-1781.
[8]	石爱红;李源;艾文森. 碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1787-1793.
[9]	韩博;李进;安百俊. 石墨坩埚厚度对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1904-1910.
[10]	王明威;曹建新;谢贵明;田生财;陶绍程. 油酸钠改性无水硫酸钙晶须及其机理研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1935-1943.
[11]	范天博;韩冬雪;贾晓辉;陈思;姜宇;胡婷婷;郭洪范;李莉;刘云义. NH4+-NH3缓冲体系制备碱式硫酸镁晶须及生长机理[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1721-1727.
[12]	王健;程红娟;高彦昭. 长波红外用准相位匹配材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1397-1404.
[13]	黄巍;何知宇;陈宝军;朱世富;赵北君. 中远红外非线性光学晶体AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1417-1426.
[14]	倪友保;韩卫民;吴海信;毛明生;黄昌保;王振友;姜鹏飞. 大尺寸长波红外非线性晶体CdSe生长及应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1488-1489.
[15]	袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491-1493.