热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (3): 603-607.

热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究

黄海宾;沈鸿烈;唐正霞;吴天如;张磊

南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,211100

出版日期:2010-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家"863"课题(2006AA03Z219)

Low Temperature Epitaxial Growth of Si and Ge Films on c-Si Substrate by Hot-wire CVD

HUANG Hai-bin;SHEN Hong-lie;TANG Zheng-xia;WU Tian-ru;ZHANG Lei

Online:2010-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge 薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析.结果表明:在衬底温度200 ℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0 cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04 cm-1.结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300 ℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3 cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220).研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法.

中图分类号:

O484

黄海宾;沈鸿烈;唐正霞;吴天如;张磊. 热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(3): 603-607.

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