二次退火制备III-V族半导体量子点

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (3): 747-750.

二次退火制备III-V族半导体量子点

肖虎;孟宪权;朱振华;金鹏;刘峰奇;王占国

武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072;武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

出版日期:2010-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(10775106;60676036);中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题

Twice Annealing to Fabricate Quantum Dots of III-V Semiconductors

XIAO Hu;MENG Xian-quan;ZHU Zhen-hua;JIN Peng;LIU Feng-qi;WANG Zhan-guo

Online:2010-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210 keV,150 keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140 keV,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016 cm-2,6.2×1016 cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料.用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火.

中图分类号:

TN304.051

肖虎;孟宪权;朱振华;金鹏;刘峰奇;王占国. 二次退火制备III-V族半导体量子点[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(3): 747-750.

XIAO Hu;MENG Xian-quan;ZHU Zhen-hua;JIN Peng;LIU Feng-qi;WANG Zhan-guo. Twice Annealing to Fabricate Quantum Dots of III-V Semiconductors[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2010, 39(3): 747-750.