生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (5): 1119-1123.

生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响

王彬;赵子文;邱宇;马金雪;张贺秋;胡礼中

大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024

出版日期:2010-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
辽宁省教育厅重点实验室基金(20060131);高等学校博士学科点专项科研基金(20070141038)

Influence of Growth and Annealing Temperatures on Properties of ZnO Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

WANG Bin;ZHAO Zi-wen;QIU Yu;MA Jin-xue;ZHANG He-qiu;HU Li-zhong

Online:2010-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用磁控溅射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)衬底上生长ZnO薄.对生长的ZnO薄膜后分别进行了800 ℃退火和1000 ℃退火处理.利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能.

中图分类号:

O472

王彬;赵子文;邱宇;马金雪;张贺秋;胡礼中. 生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(5): 1119-1123.

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