热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (5): 1130-1135.

热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响

刘金铭;赵小如;赵亮;张安;王丹红;邵继峰;曹萌萌;常晓

西北工业大学理学院应用物理系,西安,710072

出版日期:2010-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50872112)

Influence of Thermal Treatment on the Crystal Structure and Optical and Electrical Properties of Al-doped ZnO Films

LIU Jin-ming;ZHAO Xiao-ru;ZHAO Liang;ZHANG An;WANG Dan-hong;SHAO Ji-feng;CAO Meng-meng;CHANG Xiao

Online:2010-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜.实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明, 500 ℃预烧550 ℃空气退火的薄膜,经过550 ℃,1×10-2 Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3 Ω· cm,可见光范围内的平均透过率约为85;.

中图分类号:

O484.4

刘金铭;赵小如;赵亮;张安;王丹红;邵继峰;曹萌萌;常晓. 热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(5): 1130-1135.

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