(001)高度择优取向Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt异质结的结构及性能

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (6): 1475-1478.

(001)高度择优取向Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt异质结的结构及性能

郭哲;刘保亭;王军;李曼;张金平;娄建忠

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002

出版日期:2010-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60876055;11074063);河北省自然科学基金(E2008000620);河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(10963525D);高等学校博士点基金(20091301110002);河北省教育厅科学研究计划(2007416);河北省科学技术厅科学技术研究与发展指导计划(07215154);河北大学博士基金(y2006091)

Structure and Physical Properties of (001) Highly Oriented Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt Heterostructure

GUO Zhe;LIU Bao-ting;WANG Jun;LI Man;ZHANG Jin-ping;LOU Jian-zhong

Online:2010-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射法结合高真空后退火处理,在MgO(001)单晶基片上制备了Pt薄膜.应用脉冲激光沉积法在Pt/MgO上进一步生长了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜.借助X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪、LCR表研究了BST/Pt/MgO的结构和性能.研究发现,700 ℃真空退火可以保证Pt薄膜在MgO基片上实现(001)高度择优生长,以(001)Pt薄膜为模板,可以进一步获得(001)高度择优取向具有铁电性能BST薄膜.在100 Hz测试频率下,BST薄膜最大介电常数为1100、调谐率为81;、品质因数为21;在7 V的电压下,漏电流密度1.85×10-5 A/cm2,进一步分析表明,BST薄膜在0～2.6 V之间满足欧姆导电机制,在2.6～7 V之间满足普尔-弗兰克导电机制.

中图分类号:

O484.4

郭哲;刘保亭;王军;李曼;张金平;娄建忠. (001)高度择优取向Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt异质结的结构及性能[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(6): 1475-1478.

GUO Zhe;LIU Bao-ting;WANG Jun;LI Man;ZHANG Jin-ping;LOU Jian-zhong. Structure and Physical Properties of (001) Highly Oriented Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt Heterostructure[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(6): 1475-1478.

[1]	杨松, 何颖子, 王建卫, 张敏, 王旭. 锌掺杂对铁酸铋薄膜结构及多铁性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(4): 621-628.
[2]	赵鑫, 刘粉红, 张晓东, 刘昌龙. 射频磁控溅射氧气流量对制备的Ga₂O₃∶Cr薄膜光致发光性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(8): 1353-1360.
[3]	马海鑫, 丁广玉, 邢艳辉, 韩军, 张尧, 崔博垚, 林文魁, 尹浩田, 黄兴杰. 不同退火条件对PEALD制备的Ga₂O₃薄膜特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(5): 838-844.
[4]	马国斌, 杨松, 徐蕾, 郭凯鑫, 王旭. Gd³⁺、Co³⁺共掺杂铁酸铋薄膜多铁性增强及带隙调谐[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(5): 851-857.
[5]	杨松;郭凯鑫;张敏;邓朝勇;王旭. La掺杂BiFeO3薄膜铁电及光学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(8): 1445-1450.
[6]	臧婷玉;吉帅;翟章印. 铝/铁掺杂的非晶碳/铝结构的电致电阻效应研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(8): 1711-1713.
[7]	阳生红;张曰理. 水热法制备Co掺杂CeO2纳米晶的微观形貌及磁学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(12): 2307-2312.
[8]	薛健璐;文峰. PEM控制合成碳掺杂钛氧薄膜的成分结构研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(8): 1521-1526.
[9]	袁烨;韩欢热;陈玉龙;钱欣. Ti-Cr-MCM-48分子筛的一步法制备及其吸附光催化性能研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(5): 855-860.
[10]	那聪;姜宏;蔡思翔;冯建;王红燕. 氩氧流量比对CeOx-SnOx膜微观结构及光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(5): 861-866.
[11]	张禹;韦习成;余运龙;张浩. 过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(5): 867-873.
[12]	阳生红;张曰理. 退火温度对Co掺杂CeO2稀磁氧化物薄膜的结构和铁磁性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(3): 398-403.
[13]	翟章印;杜维嘉. Tb掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag异质结的光敏特性研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(7): 1849-1853.
[14]	贾相华;左桂鸿;郑友进;姜宏伟;张辉霞;黄海亮. N掺杂MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(5): 1380-1385.
[15]	户芳;余春燕;梅伏洪;张华;许并社. GaN衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(4): 946-950.