CdSe薄膜的制备及性能表征

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (1): 60-65.

CdSe薄膜的制备及性能表征

黄平;李婧;梁建;赵君芙;马淑芳;许并社

太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原,030024;太原理工大学物理系,太原,030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原,030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原,030024

出版日期:2011-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51072128);山西省高等学校科技项目(20080012);山西省回国留学人员科研资助项目(2008-37);山西省回国留学人员重点资助项目(2009-03)

Preparation and Characterization of CdSe Thin Films

HUANG Ping;LI Jing;LIANG Jian;ZHAO Jun-fu;MA Shu-fang;XU Bing-she

Online:2011-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 室温下,以CdSO4H1SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜.采用高分辨x射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外.可见.近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征.结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚.紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应.样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好.适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理.

中图分类号:

O484

黄平;李婧;梁建;赵君芙;马淑芳;许并社. CdSe薄膜的制备及性能表征[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(1): 60-65.

HUANG Ping;LI Jing;LIANG Jian;ZHAO Jun-fu;MA Shu-fang;XU Bing-she. Preparation and Characterization of CdSe Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(1): 60-65.

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